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VCSEL single-mode vertical cavity surface emitting laser GaAs low-power chip 894.6nm 0.2mW (Ta=60 ± 10 ° C)
VCSEL single-mode vertical cavity surface emitting laser GaAs low-power chip 894.6nm 0.2mW (Ta=60 ± 10 ° C)
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V00140-Group1
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Vixar模具图纸:孔径数量

图片1.png


我们目前有以下标准部件可供样品和批量生产

标准产品组合 – 低功耗芯片

型号

波长

模具细节

建议Max. 峰值功率
CW,100% DC

注意

单模

V00145

795nm

0.16 mm x 0.20 mm 单孔径

0.15mW

线宽<100MHz,+/-0.5nm 偏振稳定

V00140

895nm

0.16 mm x 0.20 mm 单孔径

0.2mW

线宽<100MHz,+/-0.5nm 偏振稳定

多模

V00146

680nm

0.22 mm x 0.22 mm 单孔径

7mW

可见光,效率提高,非高斯光束形状 偏振稳定


标准产品组合 – 高功率芯片 – 850 nm

型号

模具细节

建议Max. 峰值功率
CW,100% DC

建议Max. 峰值功率
100 μs,1% DC

建议Max. 峰值功率
5 ns,0.1% DC

V00151

0.52 mm x 0.52 mm
100 个孔径

0.5W

1W

5W

V00027

0.87 mm x 0.87 mm
281 个孔径

2W

6W

13W

V00124

0.90 mm x 1.00 mm
550 个孔径

3W

9W

35W

V00029

1.26 mm x 1.26 mm
770 个孔径

4W

12W

36W

V00133

1.99 mm x 1.99 mm
1672 个孔径

6W

20W

78W


标准产品组合 – 高功率芯片 – 940 nm

型号

模具细节

建议Max. 峰值功率
CW,100% DC

建议Max. 峰值功率
100 μs,1% DC

建议Max. 峰值功率
5 ns,0.1% DC

V00059

0.87 mm x 0.87 mm
281 个孔径

2W

6W

13W

V00081

0.90 mm x 1.00 mm
550 个孔径

3W

8W

35W

V00156

0.90 mm x 1.00 mm
550 孔径
多结 (3J)

4W

12W

110W

V00063

1.26 mm x 1.26 mm
770 个孔径

4W

11W

36W

V00132

1.99 mm x 1.99 mm
1672 个孔径

6W

20W

76W


VCSEL低功耗芯片GaAs 894.6nm Max. 额定值

Ta = 80°C

参数

符号


操作/焊接温度

DC = 100%

TS

Min. 值

Max. 值

-20°C

110°C

储存温度

Tstg

Min. 值

Max. 值

-40°C

125°C

正向电流(保持单模)直流操作;DC = 100%; TS= 75°C

If

Max. 值

1.5 mA

正向电流直流操作;DC = 100%; TS = 75°C

If

Max. 值

3 mA

反向电压

不适合反向操作

ESD 耐电压

acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

VESD

Max. 值

250 V

注意:超出jue对Max. 额定值范围的应力可能会对设备造成永jiu性损坏。




 VCSEL低功耗芯片GaAs 894.6nm 特征

Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3

 

参数

符号


正向电流

VF

典型值

1.78 V

输出功率

Φ

典型值

0.3 mW

阈值电流

Ith

典型值

0.61 mA

斜率效能

SE

典型值

0.37 W / A

单模抑制比

SMSR

Min. 值

20 dB

偏振消光比5)

PER

Min. 值

15 dB

峰值波长

λpeak-v

Min. 值

典型值

Max. 值

894.1 nm

894.6 nm

895.1 nm

光谱线宽度

Λlinewidth

Max. 值

100   MHz

调频调制带宽

Fm

Min. 值

4.6 GHz

波长温度系数

TCλ

典型值

0.06 nm / K

半峰全宽处视场(50% of Φmax)

φx

φY

典型值

典型值

12°

12°

1/e2处 视场

φx

φY

典型值

典型值

20°

20°

注意:波长,输出功率根据操作温度和电压的变化而变化。

Product Recommendation