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808nm high-power FP pumped laser diode 200mW
808nm high-power FP pumped laser diode 200mW
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PL-FP-808-B-A81-SA
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Main parameter

/光参数(Tsub=25°C, CW )

参数

符号

最小

典型

最大

单位

中心波长

λ

807

808

809

nm

光谱线宽

Δλ

0.6

0.8

2.0

nm

阈值电流

Ith


30

40

mA

工作电流

Iop


250

350

mA

光纤输出功率

Pf

100

200

250

mW

波长调谐VS 温度

Δλ/T



0.01

nm/°C

跟踪比率(0.1Pop   < Pf< Pop)1

TR

0.52


1.48


跟踪误差2

TE

-48

-

+48


监视二极管响应率

IBF

0.5


5

uA/mW

PD 暗电流 (VRD=5V)

Id



0.1

uA

消光比(PM VERSION)

PER

17

20


dB

光纤类型

HI780

正向电压

Vf


1.8

2.6

V

热敏电阻

RT

9.5

10

10.5

热敏电阻温度系数



-4.4


%/°C

连接头

None or FC/APC

备注:

1跟踪比率是输出功率变化时前后跟踪的度量。在光功率与背面光电流的关系图上,在最小功率(30mW)和工作功率(Pop)点之间绘制一条直线。跟踪比被定义为测量的光功率(如图上的数据点所述)与从直线中得到的值之间的比值。

2,跟踪误差定义为在25°C下输出功率相对于Pf的归一化变化,即,(Pf-Pf-25)/Pf-25,超过0到75°C的外壳温度范围,在恒定的背面监视器电流下,对应于0°C,25°C,75°C的Pf=Pop处的最低背面监视器电流。

 

绝对最大值参数:

参数

符号

单位

Min.

典型

Max.

测试条件

机身温度

TOP

-5

25

70


芯片温度

TLD

+10

25

50


工作电流

If-max

mA

0

250

350


正向电压

VR

V

0.8

1.2

1.8


TEC电流

ITEC

A

-

1.2

2.0


Tec 电压

VTEC

V

-

-

-


轴向拉力


N

-

-

5N

3x10s

侧拉力


N

-

-

2.5N

3x10s

光纤弯曲半径



16mm



-

反向电压(LD)


V

-

-

1.8

C=100pF,R=1.5KΩ,HBM

反向电压(PD)

VPD

V

-

-

10

C=100pF,R=1.5KΩ,HBM

LD 静电放电

VESD-LD

V


-

1000


PD 静电放电

VESD-PD

V


-

500


PD 正向电流

IPF

mA


-

10


铅焊接时间


S


-

10s

300℃

存储温度

TSTG

-40

-

+85

2000hr

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