条件:TOP = 20°C, IOP = 10.0 mA除非另有说明(TOP=芯片背面温度,由TEC控制)
参数 | 符号 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | 备注 |
工作波长 | λR | 850nm | ||||
阈值电流 | ITH | 1 | mA | |||
输出功率 | Popt | 0.5 | 1 | mW | ||
阈值电压 | UTH | 1.8 | V | |||
工作电流 | IOP | 3 | mA | Popt = 0.5mW | ||
工作电压 | UOP | 3 | V | Popt= 0.5 mW | ||
光电转换率 | ηWP | 12 | % | Popt= 0.5 mW | ||
斜率效能 | ηS | 0.3 | W/A | |||
上升和下降时间 | Tr /Tf | 90/120 | Psec | |||
微分串联电阻 | RS | 100 | 200 | Ω | Popt = 0.5 mW | |
3dB 调制带宽 | ν3dB | 0.10 | 2.5 | GHz | Popt = 0.5 mW Due to ESD protection diode | |
相对噪声强度 | RIN | -130 | -120 | dB/Hz | Popt = 0.3 mW @ 1 GHz | |
波长电流调谐系数 | 0.6 | nm/mA | ||||
波长温度调谐系数 | 0.06 | nm/K | ||||
热敏电阻(VCSEL chip) | Rthermal | 3 | 5 | K/mW | ||
边模抑制比(SMSR) | 35 | dB | I = 2 mA | |||
光束发散角 | θ | 10 | 25 | ° | Popt = 0.5mW, full width 1/e2 | |
光谱宽度 | 100 | MHz | Popt = 0.5 mW |
Tec 特性 | 单位 | 最小 | 典型 | 最大 | 备注 |
Tec 电流 | mA | -150(Heating) | +300(Cooling) | Proper Heart Sink Required | |
NTC 热敏电阻 | KΩ | 9.5 | 10.0 | 10.5 | T=25℃@10 KΩ |
NTC 热敏电阻 | KΩ | 10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)} |