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1320nm high-temperature high-power DFB chip 250mW
1320nm high-temperature high-power DFB chip 250mW
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DFB-1320-CoC-250-85
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Main parameter

推荐的操作条件

参数

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

芯片温度

65

85

105

正向电流


800

900

mA

输出功率

20


250

mW


基本参数





对每个样品进行测试@ CW, 85℃, 800mA





参数

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

输出功率@ 900mA

250



mW

正向电压


1.5

3

V

阈值电流


100

130

mA

功率转换效率


18


%

峰值波长*

1315

1320

1325

nm

波长温度调谐系数


90


pm/℃

波长电流调谐系数


2.9


pm/mA

边模抑制比 (SMSR)

40

45


dB

慢轴光束发散角 (FWHM)

7

8

9

deg

快轴光束发散角 (FWHM)

33

35

37

deg

偏振消光比 (PER)

15

20


dB

偏振


TE



*可根据要求提供范围1270-1330nm范围的其他波长

噪声特性





条件 @ CW, 85℃, 800mA





参数

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

线宽 (自外差法 @ 80MHz)


1

5

MHz

相对强度噪声 (RIN)*



-140

dB/Hz

反馈灵敏度 (optical)**



-30

dB

* 平均值,测量范围为DC-10GHz

** 单线光谱和RIN<-140dB/Hz

芯片参数

参数

Min. 值

典型值

Max. 值

单位

芯片长度


3


mm

前端面的背向反射


0.01

0.1

%

后端面的背向反射

90

99


%



jue对Max. 值参数

参数

Min

Max

单位

正向电流


950

mA

反向电压


1

V

工作温度

5

125

焊接温度 (5 sec max)


250

存储温度 (采用原始密封包装)

-40

85

Product Recommendation