Response wavelength range | optimal wavelength |
---|---|
2.7-5.6μm | 5μm |
可编程参数
增益:在40 dB范围内
带宽:0.15MHz/1.5MHz/18MHz(典型值)
耦合:AC/DC
探测器温度
输出电压偏移
内置二极管参数
探测器模块型号 | LabM-I-5 |
内置二极管型号 | PVI-2TE-5-1x1-TO8-wAl2O3-36 |
探测器类型 | 光伏 |
光敏材料 | 外延HgCdTe异质结构 |
光敏面大小 | 1 mm × 1 mm |
光学浸没窗口 | 超半球 |
制冷 | 2TE (Tchip≅230K) |
温度传感器 | 热敏电阻 |
接收角度 | ~36° |
窗口 | wAl2O3(3度楔形蓝宝石) |
放大器型号 | PIP |
放大器类型 | 可编程,跨阻抗 |
信号输出接口 | SMA |
电源,制冷,热敏电阻和风扇 | LEMO ECG.0B.309.CLN (female) |
包含配件:
1根SMA-BNC电缆
1根LEMO-DB9或LEMO-DUBOX2x5电缆
专用配件:
PTCC-01 TEC控制器系列:必备
智能管理器软件:免费软件
OTA光纤螺纹适配器
DRB-2底座安装系统
参数
产品参数 | 测试条件 | 参数值 | 单位 | ||
Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | |||
芯片温度,Tchip | - | 230 | - | K | |
起始波长,λcut-on (10%) | At 10% of the peak responsivity | - | 2.7 | - | um |
峰值波长 λpeak | - | 4.4±0.2 | - | um | |
特定波长λspec | - | 5.0 | - | um | |
截止波长 λcut-off (10%) | At 10% of the peak responsivity | - | 5.6 | - | um |
响应度D* | At λ = λpeak, f = 1 MHz | - | 2.8×1010 | - | cm×Hz1/2/W |
At λ = λspec, f = 1 MHz | 1.0×1010 | 1.6×1010 | - | ||
输出电压噪声强度vn | At f = 1 MHz | - | - | 500 | nV/Hz1/2 |
电压响应度Rv | At λ = λpeak | - | 7.9×104 | - | V/W |
At λ = λspec | 3.0×104 | 4.6×104 | - | ||
低截止频率flo-DC | DC coupling selected | - | 0 | - | Hz |
低截止频率 flo-AC | AC coupling selected | - | 10 | - | Hz |
高截止频率fhi-H | High bandwidth selected | 12 | 18 | - | MHz |
高截止频率 fhi-M | Mid bandwidth selected | - | 1.5 | - | MHz |
高截止频率 fhi-L | Low bandwidth selected | - | 0.15 | - | MHz |
输出阻抗Rout | - | 50 | - | Ω | |
输出电压摆动Vout | - | - | ±1 | V | |
输出电压偏移 Voff | - | - | ±20 | mV | |
电源电压 +Vsup | - | +9 | - | V | |
电源电压 -Vsup | - | -9 | - | V | |
电源电流 +Isup | - | - | +100 | mA | |
电源电流 -Isup | - | - | -100 | mA | |
风扇功耗Pfan | - | - | 900 | mW | |
TEC电压VTEC | - | - | 1.0 | V | |
TEC电流ITEC | - | - | 1.2 | A | |
重量 | - | 180 | - | g |
光谱响应曲线 (Typ., Tamb = 293 K, Tchip = 230 K)
参数 | 测试条件 | 参数值 | 单位 |
环境工作温度,Tamb | 10~30 | ℃ | |
存储温度Tstg | -20~50 | ℃ | |
湿度 | 非冷凝状态 | 10~90 | % |
Max. 入射光功率密度 | 连续波或者单脉冲宽度>1us | 2.5 | W/cm2 |
单脉冲宽度<1us | 10 | kW/cm2 |
超出jue对Max. 额定值的应力可能会对设备造成**性损坏。持续或反复暴露于jue对Max. 额定条件下可能会影响设备的质量和可靠性