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Indium gallium arsenide (InGaAs) amplifying photodetector 800-1700nm (140MHz)
Indium gallium arsenide (InGaAs) amplifying photodetector 800-1700nm (140MHz)
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PDAM10A7B4G-InGaAs
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Main parameter


PN#

PDA  M  005B-  Si

PDA  M  36A5B6G-  SI

PDA  M  20A6B4G-  InGaAs

电器特性




输入电压

±9VDC, 60mA

±9VDG 100mA

±9VDC. 100mA

探头

Silicon PIN

Silicon PIN

InGaAs PIN

感光面

2.65mm * 2.65mm

3.6mm * 3.6mm

Diameters@2 mm

波长

400 nm - 1100 nm

320 nm - 1100 nm

800 nm - 1700 nm(Optional   Extended(可选扩展)   2600nm)

峰值响应

0.62A/W @850nm

0.6 A/W @960nm

0.9 A/W@1550nm


43.6mV/uW @850nm

1 mV/nW @960nm

9mV/uW@1550nm

饱和光功率

113pW@ 850nm (Hi-Z)

6uW @960nm (Hi-Z)

660 uW@1550nm (Hi-Z)

芾宽

DC •-5MHz

DC - 200kHz

DC - 5MHz

NEP

7.2 pW/4HZ1/2

2.2 pW/HZ1/2

64.5 pW/HZ1/2

输出噪声(RMS)

700 uV

1 mV ・typ

1.3 mV .typ

暗电流偏置(MAX)

±5 mV

±1 mV

±5 mV

上升沿/下降沿(10%—90%)

65 ns

1.7 us

68ns

输出电压




Hi-Z

0- SV (Hi-Z)

0-6V (Hi-Z)

0-6V (Hi-Z)

500

0 • 2.5V (50ohm)

0 • 25V (50ohm)

0 • 25V (50ohm)

增益倍数




Hi-Z

67.5 kV/A

1.68 MV/A

10 kV/A

50Q

33.8 kV/A

0.84 MV/A

5kV/A

增益精度(typ)

±1%

±1%

±1%

其他参数





拨动开关

拨动开关

拨动开关

输出接口

BNC

BNC

BNC

尺寸

53*50*50mm

53*50*50mm

53*50*50mm

重量

150g

150g

150g

操作温度

10-50deg

10-50deg

10-50deg

存储温度

25℃ - 70℃

-25℃ - 70℃

-25℃ - 70℃

 

 

铟镓砷光电探测器,带放大,固定增益型号参考

 

型号

波长

带宽

上升时间

增益

RMS噪声

NEP

感应面

工作温度

电源

Hi-Z 负载

50Ω 负载

PDA10A8B4G-NIR

800 - 1700 nm

DC - 140MHz

2.5 nS

1*104 V/A

5*103 V/A

760µV .typ

4.8*10-12 W/√HZ

ф1 mm

10-50℃

包含(±9V)

PDA05A7B4G-NIR

800 - 1700 nm

DC - 25MHz

14 nS

1.2*104 V/A

6*103 V/A

1mV .typ

1.9*10-11 W/√HZ

ф0.5 mm

10-50℃

包含(±9V)

PDA10A7B4G-NIR

800 - 1700 nm

DC - 12MHz

29 nS

1*104 V/A

5*103 V/A

800µV .typ

2.6*10-11 W/√HZ

ф1 mm

10-50℃

包含(±9V)

PDA20A6B4G-NIR

800 - 1700 nm

DC - 5MHz

70 nS

1*104 V/A

5*103 V/A

1.3mV .typ

6.5*10-11 W/√HZ

ф2 mm

10-50℃

包含(±9V)

PDA30A6B4G-NIR

800 - 1700 nm

DC - 2MHz

175 nS

1*104 V/A

5*103 V/A

800µV .typ

6.3*10-11 W/√HZ

ф3 mm

10-50℃

包含(±9V)

 

 

 

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