|
info@idealphotonics.com
search
Home > 
InGaAs indium gallium arsenide photosensitive surface APD chip with a photosensitive surface diameter of 200um
InGaAs indium gallium arsenide photosensitive surface APD chip with a photosensitive surface diameter of 200um
Unit Price
Please contact customer service for a discounted quote.
Part Number
OVQT-A200M50
Lead Time
Please contact customer service for lead time.
Stock
Please contact customer service for stock availability.
Add to Inquiry
Inquire online
Main parameter


使用注意事项

采取必要的ESD 防护措施,以避免静电损伤

InP 基的芯片易碎,取用时应注意操作,推荐用真空吸附工具

 

芯片级光电参数

产品型号

OVQT-A200M50

参数

符号

单位

测量条件

Min.

典型

Max.

光敏面直径

Φ

μm

-

200

单位增益响应度

Re

A/W

λ = 1.55μm, Pin = 1 μW

0.95

1.05

-

增益

M

-

VR =VBR -3V

10

18

-

Max. 增益

Mmax

-

VR =VBR - 1V

45

50

-

暗电流

ID

A

VR =VBR -3V

-

6.0

25

暗电流温度系数

ΔTID

/℃

VR=VBR-3V ,-40℃ ~85℃

-

-

1.1

电容

Ct

F

VR =VBR-3V, f=1MHz

-

2.0

2.5

-3dB 带宽

f-3dB

GHz

M=10, RL=50Ω

0.4

1.4

-

反向击穿电压

VBR

V

I= 10μA

30

42

80

击穿电压温度系数

ƞ

V/°C

-40 ~ +85°C

0.1

-

0.15

 

Product Recommendation