600-1750nm indium gallium arsenide quadrant photodiode

Unit Price

Please contact customer service for a discounted quote.

Part Number

MTPD4346T38-300

Lead Time

Please contact customer service for lead time.

Stock

Please contact customer service for stock availability.

Add to Inquiry

Inquire online

Main parameter

Download Document

Main Parameters

Photosensitive surface diameter	spectral response	responsivity
3mm	600-1750nm	0.55 A/W @λ=1330nm

Dimensional Drawing

硅和InGaAs象限光电二极管

(“Quads” or quadrant photodiodes)“四象限”或象限光电二极管（QPD）是具有四个平面扩散光电二极管元件的分段光电二极管位置感测检测器（PSD，AKA位置感测二极管），这些元件是单片的或在同一硅或InGaAs芯片上。Marktech光电四元光电二极管具有低暗电流、高分辨率或精度、高精度、低噪声高响应（高S/N比）、宽光谱范围、良好的频率带宽、优异的动态范围、Min. 的元件间距、低工作电压、高分流电阻和大有源区。

两段、双元件或双单元光电二极管是另一种类型的位置感测装置，通常结合到对准或定位系统中。虽然象限光电二极管可以感测沿着两个维度或X和Y轴的位置，但双元件光电二极管沿着一个维度或轴对齐或定位。

Marktech的四元件光电二极管阵列或四元探测器在激光对准和纳米定位应用中提供了优秀的性能。象限光电二极管（QPD）或象限位置敏感探测器通常具有低至10nm的分辨率，使用的光束的光功率为10至100微瓦（MÉKYNEN）。Quads可用于激光对准的自动准直器、光学跟踪器、扫描探针显微镜、载物台定位器、表面轮廓仪、掩模对准器、光束定中心系统、空间太阳传感器、椭圆仪、光学镊子、倾斜传感器、高精度位移传感器和其他超精密定位应用。QPD的快速响应和宽的操作带宽使这些定位设备在原子力显微镜（AFM）行业中占据主导地位（Chien等人）。卫星通信系统也可以受益于象限光电二极管。例如，象限光电二极管是用于卫星间激光干涉测量的象限光电接收器（QPR）前端设备的关键部件。

硅和InGaAs光电二极管阵列

图片8.png

InGaAs Quadrant PIN 光电二极管 600 至 1750nm 灵敏度(InGaAs Quadrant PIN Photodiode 600 to 1750nm sensitivity)。

双单元和象限光电二极管都是光电二极管阵列（PDA），分别具有两个（1X2）和四个（2X2）元件。Bi和quad PD适用于在小波束位移或位置范围内的对准或位置感测。对于更大范围的激光或光束位置感测，需要更长的多元件光电二极管阵列。Marktech Optoelectronics还生产多元件线性（一维，1D）和面积（二维，2D）光电二极管阵列，具有许多分段，用于色散光谱、折射测量、距离或测距（三角位置传感）、干涉测量和粒子分析仪。大多数光电二极管阵列应用都需要定制设计的阵列和OEM集成，这是Marktech的行业优秀能力之一。Marktech的探测器专家设计并制造了具有2、4、16、20、32、64和更多元件的光电二极管阵列。

我们的InGaAs象限光电二极管和光电二极管阵列的波长灵敏度范围为600nm–2600nm。我们的硅象限光电二极管和光电二极管阵列的波长灵敏度范围为250nm至1100nm。这些芯片可以单独封装在各种密封TO封装中，也可以集成到定制封装中（PLCC、COB、ATLAS密封SMD、陶瓷载体等），以适应您的特定应用和引脚设计规格。

Product Recommendation

项目	符号	数值	单位
有效面积	Ф	3.0	mm
运行温度范围	T_opr	40 to +85	℃
储存温度范围	T_stg	40 to +125	℃

光电参数 (T_a = 25℃)
项目	符号	条件	MIN	典型值	MAX	单位
暗电流	I_D	V_R=0V	--	0.13	--	nA
灵敏度范围	λ	V_R=0V	600	--	1750	nm
峰值波长	λ	V_R=0V	--	1600	--	nm
串扰	CT	V_R=0V, λ=1600nm	--	2	5	%
响应度	R	λ=1330nm λ=1600nm	-- 0.90	0.55 0.95	-- --	A/W
上升时间@1330nm	t_R	V_R=2V; R_L=50Ω	--	8	--	ns
并联电阻	R_SH	V_R=10mV,-10mV	--	1.43	--	MΩ
静电容	C	V_R=0V; 1MHz	--	107	--	pF