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900-1700nm InGaAs Geiger mode avalanche photodiode, uncooled type
900-1700nm InGaAs Geiger mode avalanche photodiode, uncooled type
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IGA-APD-GM104-R
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Main parameter

线性模式参数

产品型号

IGA-APD-GM104-R

参数

符号

单位

测试条件

Min.

典型

Max.

反向击穿电压

VBR

V

22℃±3℃ ,ID=10μA

60

80

90

响应度

Re

A/W

22℃±3℃ ,λ =1550nm ,M =1

0.8

0.85


暗电流

ID

nA

22℃±3℃ ,M =10


0.1

0.3

电容

C

pF

22℃±3℃ ,M =10, f=1MHz



0.25

击穿电压温度 系数

η

V/K

-40℃ ~80℃,ID =10μA



0.15

 

盖革模式参数


参数

单位

测试条件

Min.

典型

Max.

单光子探测效 率PDE

%

-45℃ ,λ =1550nm, 0.1ph/pulse

泊松分布单光子源

20



暗计数率DCR

kHz

-45℃ ,1ns门宽, 2MHz门控重频,1MHz光重频,PDE=20%



20*

后脉冲概率 APP


-45℃ ,1ns门宽, 2MHz门控重频,1MHz光重频,PDE=20%



1× 10-3

时间抖动Tj

ps

-45℃ ,1ns 门 宽 ,2MHz门控重频,PDE=20%



100

* 可提供不同等级规格产品

 


Product Recommendation