400-1100nm four quadrant Si photodetector (N-type silicon quadrant detector with a photosensitive surface diameter of 10mm and a DC responsivity of 0.3A/W)

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SIQ1000

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特性参数	符号	测试条件（除另有规定外，T_A=22℃±3℃）		参数值			单位
特性参数	符号	测试条件（除另有规定外，T_A=22℃±3℃）		Min. 值	典型值	Max. 值	单位
响应度(交流)(象限)	S_pi	λ=1.064μm V_R=135 V	脉宽20 ns、P_in=2 mW	0.25	—	—	A/W
响应度(直流)(象限)	R_ei		直流、P_in=1μw	0.30	—	—	A/W
响应度变化量(直流) (象限)a 响应度变化量(交流) (象限)a	ΔR_ei		T_A=-45 ℃±2 ℃	—	—	50	%
暗电流(象限)	I_Di	V_R=135V P_in=0μw	T_A=22℃±3℃	—	—	1	μA
暗电流(象限)	I_Di		T_A=70℃±3℃	—	—	10
暗电流(环)	I_D		T_A=22℃±3℃	—	—	10
暗电流(环)	I_D		T_A=70℃±3℃	—	—	100
结电容（象限）	C_ji	V_R=135V，f=1MHz		—	—	15	pF
光敏面直径	φ			10	—	16	mm
等效噪声功率	NEP_i	λ=1.064 μm，V_R=135 V ,脉宽20 ns		—	—	5×10^-12	W/HZ^1/2
击穿电压（象限、环）	V_BR	I_R=10μA		200	—	—	V
象元间灵敏度非均匀性	R_f	λ=1.064 μm，V_R=135 V ，脉宽20 ns；P_in=2mW		—	—	5	%
象元内灵敏度非均匀性	R_fn	λ=1.064 μm，V_R=135 V ，脉宽20 ns；P_in=2mW		—	—	5	%
象元间窜扰因子	S_Li	λ=1.064 μm，V_R=135 V ，脉宽20 ns；P_in=2mW		—	—	5	%
像元间隔（element gap）	—	—		—	0.2	—	mm

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