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Silicon Si avalanche photodiode 905nm (photosensitive surface diameter 0.23mm TO46)
Silicon Si avalanche photodiode 905nm (photosensitive surface diameter 0.23mm TO46)
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APD-SI-905-0.23-TO46
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Main parameter

光电性能(@Ta=22±3℃)


器件型号

光谱响应范围

(nm)

峰值响应波长

(nm)

响应度

λ =905nm

φ e =1μW

M=100

(A/W)

暗电流

M=100

(nA)

响应时间

λ =905nm

RL =50Ω

ns)

工作电压

温度系数

T=-40℃~85℃

V/℃)

总电容

M=100

f=1MHz

pF)

击穿电压

IR =10μA

V)

典型

Max.

Min.

Max.

APD-SI-905-0.23-TO46

400~1100

905

55

0.2

1

0.6

0.9

1.0

130

220

APD-SI-905-0.5-TO46

0.4

1

1.2

APD-SI-905-0.8-TO46

0.8

2

2.0

APD-SI-905-0.23-LCC3

0.2

1

1.0

APD-SI-905-0.5-LCC3

0.4

1

1.2

 

 

结构/Max. jue对额定值


器件型号

封装形式

光敏面直径

(mm)

工作电压

(V)

工作温度

(℃)

储存温度

(℃)

焊接温度

(℃)

正向电流

(mA)

耗散功率

(mW)

APD-SI-905-0.23-TO46

TO-46

0.23

0.9×V BR

-40~85

-45~100

260

0.25

100

APD-SI-905-0.5-TO46

TO-46

0.50

APD-SI-905-0.8-TO46

TO-46

0.80

APD-SI-905-0.23-LCC3

LCC3

0.23

APD-SI-905-0.5-LCC3

LCC3

0.50

 

 

产品型号

 

名称

型号

描述

硅雪崩光电二极管

 

APD-SI-905-0.23-TO46

光谱响应范围:400-1100nm

峰值响应波长:905nm

光敏面直径:0.23mm

封装:TO46

硅雪崩光电二极管

 

APD-SI-905-0.5-TO46

光谱响应范围:400-1100nm

峰值响应波长:905nm

光敏面直径:0.50mm

封装:TO46

硅雪崩光电二极管

 

APD-SI-905-0.8-TO46

光谱响应范围:400-1100nm

峰值响应波长:905nm

光敏面直径:0.80mm

封装:TO46

硅雪崩光电二极管

 

APD-SI-905-0.23-LCC3

光谱响应范围:400-1100nm

峰值响应波长:905nm

光敏面直径:0.23mm

封装:LCC3

硅雪崩光电二极管

 

APD-SI-905-0.5-LCC3

光谱响应范围:400-1100nm

峰值响应波长:905nm

光敏面直径:0.50mm

封装:LCC3

 


型号规则

【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】

 

Product Recommendation