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400-1100nm silicon Si photodetector with amplification fixed gain (DC-50MHz)
400-1100nm silicon Si photodetector with amplification fixed gain (DC-50MHz)
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PDA12A7B4G-VIS
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参数


型号

PDA12A7B4G-VIS

电气特性

输入电压

+/-9V DC,100mA

探头

Si PIN

感光面

1.2*1.2 mm

波长

400 nm-1100 nm

峰值响应

0.55 A/W @850nm

灵敏度

5.5 V/mW @850nm

饱和光功率

1.3 mW @850nm

带宽

DC- 50MHz

NEP

11 pW/√HZ

输出噪声(RMS)

450 uv .typ

暗偏置电压(MAX)

±5mV

上升沿/下降沿(10%-90%)

7 ns

输出电压


Hi-Z

0-7V

50Ω

0- 3.5V

增益倍数


Hi-Z

10 kV/A

50Ω

5 kV/A

增益精度(typ)

±1%

其他参数

开关

拨动开关

输出接口

BNC

尺寸

40*50*50mm

重量

150g

操作温度

10℃ - 50 ℃

储存温度

-25℃ - 70℃

带宽测试条件,测量输出值 100mV,驱动负载 50Ω。 

上升沿测试条件,测量输出高电平 3V,驱动负载 50Ω。 

噪声测试条件,完全暗光环境下,驱动负载 50Ω,测试输出值。 

储存温度在相对湿度下有效,相对温度下环境湿度无凝结。

测试数据均在环境温度 25±5℃,环境湿度 50±10%。

 

光谱灵敏度

 图片14.png

 

交流传输特性

 

 图片15.png

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