设备参数 | 标识 | 值 | 单位 |
PD芯片敏感区直径 | d | 0.5 | mm |
工作温度 | Topr | 0..+50 | °C |
存储温度 | Tstg | 0..+40 | °C |
焊接温度 (时间< 3秒,距离外壳3毫米) | Tsol | +180 | °C |
反向电压 | Vr | 0.1 | V |
光电探测器参数 | 条件 | 标识 | 值 | 单位 |
截止波长(在 10% 水平)1 | - | λcut | 3.6 - 3.7 | mm |
Max. 灵敏度范围(在 80% 水平)1 | - | λp | 2.2 - 3.4 | mm |
暗电流(典型/Max. )2 | V = 0.1 V | Id | typ 120 / max 1000 | mA |
分流电阻(Min. /典型)2 | V = 10 mV | Rsh | min 0.2 / typ 0.6 | kΩ |
电容(典型/Max. )1 | V = 10 mV | C | typ 600 / max 1100 | pF |
噪声等效功率(典型/Max. )2, 3 | λ = 3.3 µm | NEP | typ 6.0*10⁻¹³ / max 2.1*10⁻¹² | W/Hz1/2 |
检测能力(Min. /典型)2, 3 | λ = 3.3 µm | D* | min 2.0*10¹⁰ / typ 7.0*10¹⁰ | cm. Hz1/2.W-1 |
1 代表性抽样测试的参数.
2 每个设备的参数测试.
3 使用玻璃覆盖前相同光电二极管获得的光敏度值[A/W]乘以等于有玻璃覆盖和没有玻璃覆盖的PD响应比的系数(在λ=3.3µm处测量)来计算参数.