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Mid infrared MIR photodetector 3.6-4.6um (TO-18 built-in preamplifier photosensitive diameter 0.3mm)
Mid infrared MIR photodetector 3.6-4.6um (TO-18 built-in preamplifier photosensitive diameter 0.3mm)
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Lms43PD-03-CG-R-PA
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Main parameter

设备参数

标志

单位

PD芯片敏感区直径

d

0.3

mm

工作温度

Topr

0..+50

°C

存储温度

Tstg

0..+40

°C

焊接温度

(时间< 3秒,距离外壳3毫米)

Tsol

+180

°C

反向电压

Vr

0.1

V

除非另有说明,否则所有参数均适用于 25°C 下的 LED 操作..

 

光电探测器参数

条件

标志

单位

截止波长(在 10% 水平)1

-

λcut

4.6 - 4.7

mm

Max. 灵敏度范围(在 80% 水平)1

-

λp

3.8 - 4.2

mm

暗电流(典型/Max. )2

V = 0.1 V

Id

typ 4 / max 6

mA

分流电阻(Min. /典型)2

V = 10 mV

Rsh

min 10 / typ 20

Ω

电容(典型/Max. )1

V = 10 mV

C

N/A

pF

噪声等效功率(典型/Max. )2, 3

λ = 4.1 µm

NEP

typ 1.1*10⁻¹² / max 3.4*10⁻¹²

W/Hz1/2

检测能力(Min. /典型)2, 3

λ = 4.1 µm

D*

min 9.0*10⁹ / typ 2.7*10¹⁰

cm. Hz1/2.W-1

1  代表性抽样测试的参数.

2  每个设备的参数测试.

3  使用玻璃覆盖前相同光电二极管获得的光敏度值[A/W]乘以等于有玻璃覆盖和没有玻璃覆盖的PD响应比的系数(在λ=4.1µm处测量)来计算参数.

 

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